Igbt модуль (MG75J2YS9 toshiba)
№ 18503814
IGBT модуль (MG75J2YS9 TOSHIBA)
Полумост в одном корпусе (два транзистора).
Максимальный прямой ток = 75А
Максимальный ток в импульсе (1мс) = 150А
Рассеиваемая мощность на коллекторе = 390Вт
Напряжение коллектор-Эмиттер = 600В
Осталось: 2 шт.
Есть datasheet.
Полумост в одном корпусе (два транзистора).
Максимальный прямой ток = 75А
Максимальный ток в импульсе (1мс) = 150А
Рассеиваемая мощность на коллекторе = 390Вт
Напряжение коллектор-Эмиттер = 600В
Осталось: 2 шт.
Есть datasheet.
Похожие объявления
