Igbt модуль (MG300J2YS45 toshiba)

Контактное имя: Михаил

IGBT модуль (MG300J2YS45 TOSHIBA)
Полумост в одном корпусе (два транзистора).
Максимальный прямой ток = 300А
Максимальный ток в импульсе (1мс) = 600А
Рассеиваемая мощность на коллекторе = 1200Вт
Напряжение коллектор-Эмиттер = 600В
Осталось: 1 шт.
Есть datasheet.
Возможен торг.